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MCH3476
2.0
ID -- VDS
Ta=25°C
2.5
VDS=10V
ID -- VGS
2.0
1.5
1.5V
1.5
1.0
1.0
0.5
VGS=1.2V
0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
400
350
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
ID=0.3A
IT16372
Ta=25°C
400
350
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT16373
0.5A
300
1A
300
=0.3
=1.8
, I D=
=2.5V
=1.0A
V GS=
250
200
150
100
50
250
200
150
100
50
VGS
VGS
V, I D
4.5V, I D
A
0.5A
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
10
7
| y fs | -- ID
IT16641
VDS=10V
10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT16642
VGS=0V
5
3
2
-25
75 °
=-
3
2
1.0
7
Ta
° C
C
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
° C
5
3
2
25
3
2
0.01
7
5
3
2
0.1
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1000
7
5
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT16643
VDD=10V
VGS=4.5V
1000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT16377
f=1MHz
2
3
100
7
5
2
Ciss
3
2
10
tf
td(off)
100
7
5
7
5
3
td(on)
tr
3
2
Coss
Crss
2
1.0
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain Current, ID -- A
IT16644
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16379
No. A1952-3/7
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